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准分子激光器指标：
介质气体 | ArF | KrF | XeCl |
波长(nm) | 193 | 248 | 308 |
最大单脉冲能量(mJ) | 10 | 15 | 10 |
平均功率(W) | 1.6 | 2.4 | 1.6 |
最大重复频率 (Hz) | 200 | ||
脉冲宽度 (ns)(FWHM） | ～15 | ||
能量稳定性(sigma) | 2% | ||
光斑尺寸(mm)(V×H,nominal) | 6×3 | ||
发散角(mrad)(V×H,nominal) | ～3×1.5 | ||
193nm 光刻光源优势
为什么工业界一直用193nm光源做光刻，不是说光刻光源波长越短分辨率越高么？
193nm光刻机依然是主流。
理论上来讲光刻分辨率R=K（波长λ/光学数值孔径NA）波长越小分辨率越好。
一种EUV的波长理论上可以低到13nm，这可比193nm小多啦。但是EUV的电源有足球场那么大，做芯片的车间要用这么大的空间难度很大。
另一种X-ray不能实时监控，做完直接看效果。对于高精尖的芯片来说实时操作对员工身体的损害显而易见。
目前在193nm上进一步应用的办法有：
多层重叠技术，实际R=分辨率R1/层数N。
增加光折射率。把光刻环节放到磷酸溶液中，比原来的空气中分辨率提高1.54倍。
下一步是EUV胜出还是193nm有了更进一步的分辨率提高？
期待。。。。。。
公司主要产品：液晶修复激光器及系统，1um精细激光剥蚀系统，自动对焦激光系统，准分子激光系统，OPO激光器，PIV激光器。
755nm，694.3nm，532nm，激光器
425nm，355nm，308nm，激光器
266nm，213nm，193nm，激光器
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